Mémoire et logique non-volatiles embarquées basées sur des circuits ferroélectriques – Newsletter 4

Dans cette newsletter, nous présentons les avancées du projet européen 3eFERRO. Ces avancées portent sur: la conception d 'interfaces, l'intégration de capacités ferroélectriques et sur le design de cellules logiques non volatiles.

 

Le projet européen 3eFERRO introduit un nouveau matériau ferroélectrique (Hf(Zr)O2) pour créer des cellules de mémoires FeRAM compétitives dans le contexte de l’Internet des  Objets. Ce projet vise également l’exploration des concepts de calcul en mémoire non-volatile basés sur des cellules FeRAM et FeFET.
Il regroupe 8 partenaires parmi lesquels: le CEA, ST Microelectronics, Namlab (leader dans le domaine des circuits ferroélectriques HfO2) ainsi que 5 grand laboratoires de technologies. L’ensemble de ce consortium est originaire de 5 pays différents de l’UE.

 

Dans le numéro 4 de la newsletter, les 3 parties de ce projets sont mises en avant sont:

  1. L’exploration de l’espace de conception de circuits basés sur les FeFET et FeRAM,
  2. Les avancées sur la structures des condensateurs TiN/HfZrO2/Ge,
  3. Le workshop High-k.

 

Dans le numéro 3 de la newsletter, les 3 parties de ce projets sont mises en avant sont:

  1. Le travail sur l’interface HfO2/TiN, qui a été publié dans Applied Physics Letters,
  2. L’intégration de capacités ferroélectriques NZO avec d’excellentes performances,
  3. La conception de nouvelles cellules logiques basées sur des transistors ferroécletriques

 

Références et collaborations:

https://www.3eferro.eu/

https://publishing.aip.org/publications/journals/special-topics/apl/ferroelectricity-in-hafnium-oxidematerials-and-devices/

 

Contact:

Bertrand Vilquin

email :

INL CNRS
Advances in 3eFERRO project on: (a) capacitor integration and the resulting switching efficiency, (b) interface engineering HfO2/TiN, and (c) improvement in transistors count for novel FeFET based LUT design
/* */ //