Pôle Photovoltaïque

80 m² ISO8

Espaces technologiques dédiés au développement spécifique des filières de réalisation de cellules en silicium, en couches minces, et de cellules 3ème génération.

Équipements technologiques d’élaboration

  • Réacteur PECVD RF (13,56 MHz), pour déposer des couches minces de SiNx, SiOx, SiONx, a-Si
  • Réacteur d’épitaxie silicium en phase vapeur (VPE)
  • Spin-on phosphore et bore
  • Laser UV nanoseconde pour ablation couches minces
  • Bancs de porosification de silicium (2’’ et  4’’)
  • Banc de dépôts métalliques (Ni, Cu, Ag) par voie chimique (electroless, électrolytique, LIP

Équipements de caractérisation

  • Simulateur solaire pour caractéristique courant/tension de cellules PV (jusqu’à 156×156 mm²)
  • Banc de caractérisation I(V) de cellules PV sous environnement thermique contrôlé (jusqu’à 4 cm²)
  • Mesure de durée de vie par déclin de Photoconductance (Sinton WCT-120-PL) et cartographie de durée de vie (Semilab WT-2000)
  • Banc de mesure de réponse spectrale et réflectivité de cellule.

Personnel dédié

pictogramme CNRS
1
Assistant Ingénieur
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