Espaces technologiques dédiés au développement spécifique des filières de réalisation de cellules en silicium, en couches minces, et de cellules 3ème génération.

Équipements technologiques d’élaboration

• Réacteur PECVD RF (13,56 MHz), pour déposer des couches minces de SiNx, SiOx, SiONx, Silicium et Germanium amorphe ou micro-cristallin
• Réacteur d’épitaxie silicium en phase vapeur (VPE)
• Spin-on phosphore et bore
• Laser UV nanoseconde pour ablation couches minces
• Bancs de porosification de silicium (2’’ et  4’’)
• Banc de dépôts métalliques (Ni, Cu, Ag) par voie chimique (electroless, électrolytique, LIP

Équipements de caractérisation

• Simulateur solaire pour caractéristique courant/tension de cellules PV (jusqu’à 156×156 mm²)
• Banc de caractérisation I(V) de cellules PV sous environnement thermique contrôlé (jusqu’à 4 cm²)
• Mesure de durée de vie par déclin de Photoconductance (Sinton WCT-120-PL) et cartographie de durée de vie (Semilab WT-2000)
• Banc de mesure de réponse spectrale et réflectivité de cellule.