Espace technologique dédié au développement :

• d’hétérostructures et de boîtes quantiques III-V visant des applications de la photonique sur InP,
• de templates de SrTiO3/Si pour l’intégration de semiconducteurs III-V et d’oxydes fonctionnels sur silicium.

Equipements technologiques d’élaboration :

• Une ligne connectée sous UHV comprenant  : (ø 2″)
  • Un réacteur d’Epitaxie par Jets Moléculaires (EJM) sources solides RIBER C21 dédiés aux alliages des filières InP et GaAs
  • Un réacteur PECVD ECR (2.45GhZ) pour déposer des couches SiOx, SiNx et a-Si ou des traitements plasma O2,N2, Ar et H2 (Module ALD pour le dépôt de TiO2)
• Une ligne connectée sous UHV comprenant : (ø 2″)
  • Un réacteur EJM sources solides RIBER 32 dédiés aux alliages des filières InP et GaAs
  • Un réacteur EJM RIBER C21 dédiés aux oxydes sur silicium tels que SrTiO3 ou BaTiO3 et muni d’un canon d’évaporation (Si, HfO2, TiO2, LaAlO3, Gd2O3)
  • Un analyseur XPS/XPD VSW up gradé avec un détecteur 2D multicanaux PREVAC
• Un dip-coater Nadetech et des fours de recuit associés

Equipements de caractérisation :

• Un diffractomètre à anode tournante SMARTLAB Rigaku (configuration Bragg Brentano/Faisceau parallèle – 5 axes) dédié à l’analyse structurale fine des cristaux (Mesure en température jusqu’à 1100°C)
• Un banc  de mesure ferro-électrique Aixact  en température (T°C max 200°C)
• Un banc de mesure de cartographie de photoluminescence @ RT (visible-proche IR jusqu’à 2.3µm)
• Un banc de mesure d’effet Seebeck @ RT
• Un banc de mesure Effet Hall @RT