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2022

Journal articles

titre
Insertion of an Ultra‐thin Interfacial Aluminium Layer for the Realisation of a Hf0.5Zr0.5O2 Ferroelectric Tunnel Junction.
auteur
Benoît Manchon, Greta Segantini, Nicolas Baboux, Pedro Rojo Romeo, Rabei Barhoumi, Dominique Drouin, Infante Ingrid C., F. Alibart, Bertrand Vilquin, Damien Deleruyelle
article
physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters, 2022, 16 (10), pp.2100585. ⟨10.1002/pssr.202100585⟩
identifiant
hal-03609773
DOI
DOI : 10.1002/pssr.202100585
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titre
Elucidating Postprogramming Relaxation in Multilevel Cell‐Resistive Random Access Memory by Means of Experimental and Kinetic Monte Carlo Simulation Data
auteur
Lucas Reganaz, Eduardo Esmanhotto, Nazim Ait Abdelkader, Joel Minguet Lopez, Niccolo Castellani, Quentin Rafhay, Damien Deleruyelle, Laurent Grenouillet, Francois Aussenac, Elisa Vianello, François Andrieu, Gabriel Molas
article
physica status solidi (a), Wiley, 2022, 219 (13), pp.2100753. ⟨10.1002/pssa.202100753⟩
identifiant
hal-03840622
DOI
DOI : 10.1002/pssa.202100753
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titre
Water-soluble polyethylene-oxide polymer based memristive devices
auteur
Prabir Mahato, Etienne Puyoo, Sébastien Pruvost, Damien Deleruyelle
article
Microelectronic Engineering, Elsevier, 2022, 260, pp.111806. ⟨10.1016/j.mee.2022.111806⟩
identifiant
hal-03840652
DOI
DOI : 10.1016/j.mee.2022.111806
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titre
Architecture optimization of SPAD integrated in 28 nm FD-SOI CMOS technology to reduce the DCR
auteur
D. Issartel, S. Gao, P. Pittet, R. Cellier, D. Golanski, A. Cathelin, F. Calmon
article
Solid-State Electronics, Elsevier, 2022, 191, pp.108297. ⟨10.1016/j.sse.2022.108297⟩
identifiant
hal-03651521
DOI
DOI : 10.1016/j.sse.2022.108297
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titre
Mechanical Switching of Ferroelectric Domains in 33‐200 nm‐Thick Sol‐Gel‐Grown PbZr 0.2 Ti 0.8 O 3 Films Assisted by Nanocavities
auteur
Sergio Gonzalez Casal, Xiaofei Bai, Kevin Alhada‐lahbabi, Bruno Canut, Bertrand Vilquin, Pedro Rojo Romeo, Solène Brottet, David Albertini, Damien Deleruyelle, Matthieu Bugnet, Ingrid Canero Infante, Brice Gautier
article
Advanced Electronic Materials, Wiley, 2022, pp.2200077. ⟨10.1002/aelm.202200077⟩
identifiant
hal-03662877
DOI
DOI : 10.1002/aelm.202200077
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titre
Ferroelectricity Improvement in Ultra-Thin Hf0.5Zr0.5O2 Capacitors by the Insertion of a Ti Interfacial Layer
auteur
Greta Segantini, Rabei Barhoumi, Benoît Manchon, Ingrid Cañero Infante, Pedro Rojo Romeo, Matthieu Bugnet, Nicolas Baboux, Shruti Nirantar, Damien Deleruyelle, Sharath Sriram, Bertrand Vilquin
article
physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters, Wiley-VCH Verlag, In press, 2100583, pp.2100583. ⟨10.1002/pssr.202100583⟩
identifiant
hal-03759538
DOI
DOI : 10.1002/pssr.202100583
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Conference papers

titre
Electrical behavior of vertical Schottky diodes on GaN homoepitaxy
auteur
M Dagher, Camille Sonneville, Georges Bremond, Dominique Planson, Yvon Cordier, Helge Haas, M R Iretki, Julien Buckley, V Maurya, M Charles, Jean-Marie Bluet
article
IWN 2022 - International Workshop on Nitride Semiconductors, Oct 2022, Berlin, Germany
identifiant
hal-03854620
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titre
Influence of the electrode interface on the properties of ferroelectric HfZrO2
auteur
Jordan Bouaziz, Greta Segantini, Benoît Manchon, Rabei Barhoumi, Ingrid Cañero Infante, Matthieu Bugnet, Damien Deleruyelle, Nicolas Baboux, Pedro Rojo Romeo, Sharath Sriram, Bertrand Vilquin
article
High k Workshop 2022, NamLab, Sep 2022, Dresden, Germany
identifiant
hal-03775873
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titre
A multiscale study of the structure, chemistry and ferroelectric properties of epitaxial sol-gel PbZr0.2Ti0.8O3 films for nanomechanical switching
auteur
Ingrid C. Infante, Sergio Gonzalez Casal, Xiaofei Bai, Kevin Alhada‐lahbabi, Sara Gonzalez, Bertrand Vilquin, Pedro Rojo Romeo, David Albertini, Damien Deleruyelle, Nicolas Baboux, Solène Brottet, Bruno Canut, Jean-Paul Barnes, Matthieu Bugnet, Brice Gautier
article
ISAF-PFM-ECAPD 2022, IEEE UFFC, Jun 2022, Tours, France
identifiant
hal-03719104
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03719104/file/Ingrid_C_Infante_ISAF2022_final.pdf BibTex
titre
Study of Polarisation and Conduction Mechanisms in Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 Down to Deep Cryogenic Temperature 4.2 K
auteur
Benoit Manchon, Dorian Coffineau, Greta Segantini, Nicolas Baboux, Pedro Rojo Romeo, Rabei Barhoumi, Ingrid Cañero Infante, Fabien Alibart, Bertrand Vilquin, Dominique Drouin, Damien Deleruyelle
article
ISAF-PFM-ECAPD 2022, IEEE UFFC, Jun 2022, Tours, France
identifiant
hal-03719069
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