Nano-sapins plasmoniques de ZnO dopé au Ga

La première synthèse “bottom-up” de nanofils plasmoniques dans le moyen IR à base de ZnO dopé Ga révèle une géométrie particulièrement originale, riche et contrôlée par la présence du dopant Ga. Le dopage in situ, durant la croissance MOCVD de nanofils de ZnO, induit un changement des facettes stables de ZnO (initialement non polaires) au profit de facettes polaires habituellement non stables. Une variété de nanostructures originales, allant de la géométrie filaire (nanofils) à celle de nano-cônes (sapins) en passant par un empilement de platelets (brochettes, obtenus pour des systèmes coeur-coquille) est obtenue. Toutes ces structures, dégénérées, donc métalliques, démontrent une résonance plasmon dans le moyen IR.

Contact:

Bruno Masenelli

 

 

Références:

V. Sallet, C. Sartel, S. Hassani, C. Vilar, G. Amiri, A. Lusson, F. Jomard, P. Galtier, I. Lefebvre, C. Delerue, M. K. Hamza, B. Canut, B. Masenelli, “Crystal facet engineering in Ga-doped ZnO nanowires for MIR plasmonics”, Crystal Growth & Design 18 (8), 4287-4295, (2018), DOI: 10.1021/acs.cgd.8b00048

Collaborations:
V. Sallet et al. GEMAC, Univ. Versailles-St Quentin
C. Delerue, I. Lefevbre, IEMN, Lille
INL CNRS
"Nano-sapins" de ZnO dopés Ga.
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