Etude des nanofils III-V pour l’énergie

Impact d’une coquille de passivation AlGaAs sur le déclin de PL de nanofils GaAs (mesuré à 12 K).

Figure 1 : Impact d’une coquille de passivation AlGaAs sur le déclin de PL de nanofils GaAs (mesuré à 12 K).

En ce qui concerne l’étude des nanofils semiconducteurs III-V pour les applications photovoltaïques, l’équipe est impliquée dans le projet ANR HETONAN. L’objectif de ce projet est de réaliser une cellule à jonction tandem avec une jonction supérieure constituée par un réseau ordonné de nanofils AlGaAs ou GaAsP et une cellule planaire en silicium, comme jonction inférieure. Le choix d’un semiconducteur ternaire s’explique par la possibilité d’accorder le gap à la valeur de 1,7 eV, valeur optimale pour une cellule tandem avec du silicium cristallin. Les moyens de caractérisation de l’équipe S&N sont utilisés pour déterminer le gap des matériaux ternaires, la qualité du matériau épitaxié, la durée de vie des porteurs minoritaires et étudier différentes approches de passivation.

 

 

Contact: Nicolas Chauvin

 

Projet contractuel:

– Projet ANR HETONAN Cellules solaires tandem à haut rendement à base de nanofils III-V sur Silicium (2015- )

 

Collaborations:

Partenaires du projet HETONAN: C2N, IMEP-LaHC, Silsef

 

Publications:

  1. C. Himwas, S. Collin, P. Rale, N. Chauvin, G. Patriarche, F. Oehler, F. H. Julien, L. Travers, J.-C. Harmand, M. Tchernycheva, In situ passivation of GaAsP nanowires, Nanotechnology 28, 495707 (2018).
INL CNRS