Croissance de nano-sapins et bambous de ZnO dopé par dopage au Gallium

Pouvoir faire croître des nano-forêts de sapins et de bambous aux propriétés plasmoniques dans l'IR? Le Gallium le permet s'il est introduit dans l'oxyde de Zinc (ZnO) en permettant le contrôle des charges électroniques dans les nanofils.

Contrôler l’orientation et la polarité des faces de nanofils semiconducteurs est un point majeur pour le contrôle de leurs propriétés opto-électroniques et donc leurs applications subséquentes. Dans cette étude, des nanofils de ZnO (oxyde de Zinc) sont dopés au Gallium pour leur conférer des propriétés plasmoniques dans l’IR. Le Gallium, introduisant des charges électroniques supplémentaires, devient alors un moyen de contrôler la charge électronique des faces des nanocristaux (leur polarité) et donc de leur orientation. Par ce contrôle des charges électroniques, la stabilité de certaines faces (riches en Oxygène) peut être exaltée et ainsi, on peut aboutir à la croissance de nanofils de type nano-sapins ou à l’inverse de type bambous. Ce travail fait la couverture de l’édition de Physica Status Solidi (Rapid Research Letters) de juin 2020.

 

References:
Evidence of O-polar (000¯1) ZnO surfaces induced by in situ Ga doping, Vincent Sallet et al., Physica Status Solidi Rapid Research Letters, 6, 2020https://doi.org/10.1002/pssr.202000037

 

Collaborations:
Travaux menés en collaboration avec le groupe de Vincent Sallet du GEMAC (UMR CNRS Université de Versailles-St Quentin en Yvelines), dans le cadre du projet ANR GaZON.

 

INL CNRS
Nanosapins et nanobambous de ZnO dopés au. Ga de polarité controlée.