Acquisition d’un ICP-RIE dans le cadre du projet européen FEDER CARAT 2020

Un premier équipement a été acquis, pour un coût de 350 000 Euros HT, un bâti de gravure ICP – RIE (Inductively Coupled Plasma - Reactive Ion Etching) pour une utilisation de type « Recherche et développement » multi-matériaux et multiprocédés. Cet équipement est cofinancé par le projet IDEXLYON Scientific Breakthrough IPPON.

En 2019, l’INL-CNRS a acquis un bâti de gravure ICP-RIE SI500 SENTECH Instruments GmbH. Il est installé à l’INL Site ECL, avec une mise en service courant septembre 2019.
Le réacteur de gravure par couplage inductif ICP-RIE est conçu pour graver des couches minces (quelques nanomètres à quelques 100 nm), des couches épaisses de plusieurs microns voire des substrats (quelques dizaines à quelques centaines de microns). Il est utilisé pour la gravure de semiconducteurs, d’isolants, de polymères, de métaux et alliages associés. Les échantillons à graver ont des diamètres compris entre 10 et 200 mm. Le bâti est équipé de 6 lignes de gaz réactifs (seuls ou mélangés) déjà disponibles – Cl2/H2/Ar/SF6/CHF3/O2/N2 mais peut encore accepter 2 lignes de gaz réactifs supplémentaires. La source ICP est de type planaire à spirale triple (13.56 MHz, 100 à 1200 W). La cathode RF (13.56 MHz, 600 W) -porte échantillon- est maintenue en température constante, dans une gamme de température de -30°C à +250°C. Le suivi de gravure se fait grâce à un système optique interférométrique à 670 nm. La gamme de pression de plasma varie entre 0,002 et 0,1 mbar.

Exemple de réalisation:

 

 

INL CNRS