Acquisition d’un équipement de de gravure ICP-RIE cadre du projet CARAT 2020
En 2019, le LTM-CNRS a acquis un bâti de gravure ICP – RIE (Inductively Coupled Plasma – Reactive Ion Etching) SI500 SENTECH Instruments GmbH. Il est installé à la PTA-Grenoble et il fonctionnel depuis fin septembre 2019. Le bâti est équipé de 12 lignes de gaz réactifs (seuls ou mélangés) : Cl2 / BCl3 / SiCl4 / HBr / H2 / CH4 / Ar / SF6 / CF4 / CH2F2 / O2/ N2. La source ICP est de type planaire à spirale triple (13.56 MHz, 100 à 1200 W). La cathode RF (13.56 MHz, 600 W). Le porte-échantillon est maintenu à une température constante dans une gamme de température variant de -30°C à +250°C et il peut accepter jusqu’à des substrats de 100 mm de diamètre. La gamme de pression de plasma peut être contrôlée entre 0,002 et 0,1 mbar. Le suivi de gravure se fait grâce à un système optique interférométrique à 670 nm. Les quatre recettes d’acceptation ont été validées et elles permettent d’avoir des procédés de base pour la gravure de SiO2, de Ge, de Ta et de polymères résiduels.
En lien avec les besoins spécifiques des chercheurs et industriels utilisateurs de la ressource, le groupe technique a réalisé l’optimisation/développement des procédés de gravure. La ressource a été mise à la disposition des utilisateurs pour les développements de leur projet à partir du printemps 2020. Les filières prioritairement ciblées sont la nano-électronique, la spintronique, la photonique, les capteurs, les NEMS et MEMS.
