Nanofils coeur/coquille à base de semiconducteur et d’oxyde

Nous avons produit des nanofils coeur InP / coquille Gd2O3 sur substrat de Si avec un cluster en ligne associant un réacteur EJM III-V et un réacteur EJM oxydes. Les images de microscopie électronique en transmission montrent la formation d’îlots de Gd2O3 cristallin formant une coquille entourant les nanofils d’InP.

 

En raison de leur morphologie les nanofils semiconducteurs sont envisagés comme brique de base pour de nombreux dispositifs électroniques, photoniques ou pour la récupération d’énergie. Afin d’augmenter les fonctionnalité de ces nano-objets, une solution consiste à les associer à d’autres matériaux comme les oxydes fonctionnels pour combiner leurs propriétés physiques au sein d’un même nanofil.

 

Sur la base de ces premiers résultats, nous viserons la production de nanofils coeur semiconducteur / coquille oxyde piezoélectrique pour des applications piézotroniques (projet ANR JC “COSCOF”).

 

Légende:
Images de microscopie électronique en transmission de nanofils d’InP/Gd2O3


Contacts:
José PENUELAS – 
Michel GENDRY – 

Référence:
Morphological and structural properties of InP/Gd2O3 nanowires grown by molecular beam epitaxy on silicon substrate
J. Penuelas, X. Lu, N.P. Blanchard, G. Saint-Girons, B. Vilquin, P. Crémillieu, R. Mazurczyk, M. Gendry
Journal of Crystal Growth 347, 49 (2012)

Collaboration:
Nanolyon

INL CNRS
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